半導(dǎo)體芯片的冷熱沖擊試驗(yàn)方法
更新時(shí)間:2023-01-17 點(diǎn)擊量:535
半導(dǎo)體芯片進(jìn)行冷熱沖擊試驗(yàn)時(shí),應(yīng)注意:- 根據(jù)產(chǎn)品使用環(huán)境確定試驗(yàn)溫度。
- 試件暴露于極值溫度的持續(xù)時(shí)間應(yīng)為半導(dǎo)體芯片的實(shí)際工作時(shí)間或溫度穩(wěn)定的時(shí)間。GJB 150中規(guī)定持續(xù)時(shí)間一般為1h,或者是溫度達(dá)到穩(wěn)定的時(shí)間,當(dāng)溫度穩(wěn)定的時(shí)間超過(guò)1h,則使用溫度穩(wěn)定時(shí)間。
- 轉(zhuǎn)換時(shí)間與溫度變化速率,GJB 要求會(huì)比 GB 要求更為嚴(yán)苛。例如,GJB 150A 中要求轉(zhuǎn)換時(shí)間盡可能短,轉(zhuǎn)換時(shí)間要求不大于1min ,溫度變化速率小于3℃/min,如果因?yàn)樵嚇映叽邕^(guò)大,導(dǎo)致時(shí)間超過(guò) 1min ,應(yīng)說(shuō)明合理性。
半導(dǎo)體芯片冷熱沖擊方法
將試件芯片通電置于置物架上;
根據(jù)要求設(shè)定試驗(yàn)溫度;
首先對(duì)試件進(jìn)行低溫試驗(yàn),再進(jìn)行高溫試驗(yàn),循環(huán)次數(shù)依要求進(jìn)行;
記錄半導(dǎo)體芯片工作狀態(tài)下,在設(shè)定溫度下的相關(guān)參數(shù), 對(duì)產(chǎn)品分析, 工藝改進(jìn)以及批次的定向品質(zhì)追溯提供確實(shí)的數(shù)據(jù)依據(jù)。
冷熱沖擊方向選擇
試件從低溫或是高溫試驗(yàn)開(kāi)始,不同標(biāo)準(zhǔn)有不同的解析。若試驗(yàn)從低溫段開(kāi)始,試驗(yàn)結(jié)束在高溫段;若試驗(yàn)從高溫段開(kāi)始,結(jié)束在低溫段。為防止試件在試驗(yàn)結(jié)束后表面產(chǎn)品凝露,試驗(yàn)結(jié)束在低溫段時(shí)需要增加烘干恢復(fù)的過(guò)程,這樣就增加了試驗(yàn)周期,建議試驗(yàn)從低溫段開(kāi)始,結(jié)束在高溫段。